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                InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器低成本、低噪聲、高靈敏度、高可靠性、高速響應
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InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器


G12181-230K 長波長類型(截止波長:1.85 μm) - 截止波長:1.85 μm - 兩級電子冷卻型 - 低成本 - 受光面:φ3 mm - 低噪聲 - 高靈敏度 - 高可靠性 - 高速響應 
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 G12183-230K 長波長類型(截止波長:2.55 μm) - 截止波長:2.55 μm - 兩級電子冷卻型 - 低成本 - 受光面:φ3 mm - 低噪聲 - 高靈敏度 - 高可靠性 - 高速響應 
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型號/參數  | G12181-030K  | G12183-230K  | 
受光面  | φ3.0 mm  | φ3.0 mm  | 
像素數  | 1  | 1  | 
封裝  | 金屬  | 金屬  | 
封裝類別  | TO-8  | TO-8  | 
散熱  | 兩級電子冷卻型  | 兩級電子冷卻型  | 
靈敏度波長范圍  | 0.9 到 1.85 μm  | 0.9 到 2.55 μm  | 
最大靈敏度波長(典型值)  | 1.75 μm  | 2.3 μm  | 
感光靈敏度(典型值)  | 1.1 A/W  | 1.3 A/W  | 
暗電流(最大值)  | 50 nA  | 60000 nA  | 
截止頻率(典型值)  | 1.9 MHz  | 1 MHz  | 
結電容(典型值)  | 1700 pF  | 3200 pF  | 
噪聲等效功率(典型值)  | 3.5×10-14 W/Hz1/2  | 6×10-13 W/Hz1/2  | 
測量條件  | 典型值 Tc=-20°C,除非另有說明,感光靈敏度:λ=λp,暗電流:VR=0.5 V,截止頻率:VR=0V,RL=50Ω,結電容:VR=0V,f=1MHz  | 典型值 Tc=-20°C,除非另有說明,感光靈敏度:λ=λp,暗電流:VR=0.5 V,截止頻率:VR=0 V,RL=50Ω,結電容:VR=0V,f =1MHz  | 
 


InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器
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